Главная Гальваническое покрытие Обработка поверхности Радиотехника
Бессточные операции Гальвано- химическое производство Достижения

Самые новые
Основы организации современных гальвано-химических производств
Взаимная адаптация технологий гальванического производства и очистки сточных вод
Импульсная металлизация печатных плат
Создание высокоэффективных систем промывки деталей
Утилизация гальванических отходов как гигиеническая проблема
Получение химико-механических цинковых покрытий на высокопрочных термообработанных сталях
Переработка металлургических отходов
Последние достижения в гальванопластике
Обработка промывных вод травильных агрегатов
Экологические перспективные технологии цинкования, кадмирования и меднения
Об утилизации гальванических шламов
Технологии изготовления технологической оснастки и продуктов методом гальванопластики
Россия экспортировала продукции химической промышленности и каучука на 11,3 млн долларов
В октябре экспорт ферросплавов уменьшился на 0,03% до 108,9 тыс. тонн
Мировое производство стали за 10 месяцев 2006 года выросло на 9,2%
Производство алюминия продолжает расти
Химическое производство в России выросло на 1,2%
Китай за 10 месяцев увеличил выпуск медной продукции на 6,6% до 4,6 млн. т
"Антон" - "Северсталь"
Чистая прибыль ОАО "Ульяновский автомобильный завод"
Оценка эфф. подготовки поверхности полистирола перед химической металлизацией
"Российские металлургические компании и ЕС - особые отношения"
Аналитики расходятся во мнениях по прогнозу цен на железную руду
Evraz увеличивает выплаты
Китай вышел на ежемесячный объем экспорта стали
Чистая прибыль Borealis в III квартале выросла в 2,6 раза
"Цинк среди драгоценных металлов"
Росбанк стал держателем 29,33% "Норникеля"
"Северсталь" подорожала на 2.7 миллиарда долларов после вчерашнего IPO
Новая волна слухов на тему консолидации в мировой металлургии
Итоги деятельности химического комплекса за 9 месяцев
Стратегия развития металлургической промышленности
Инженеры в почете
Информационное обеспечение химического комплекса
Дефицит кадров
Спрос на оцинкованную сталь растет
Карта: 1 2 3 4 5 6 7 8 9
10 11 12 13 14
Главная Радиотехника


Схемотехника при разработке устройств на микроконтроллерах


Клавиатура

Общий случай. Можно использовать стандартную матрицу кнопок. Их количество определяется числом строк и столбцов линий сканирования.


Для этой схемы выводы Тn программируется как выходы, а Kn как входы. При сканировании на одну из линий Т поочередно подается лог 0 и проверяется состояние линий К. Если одна из линий К имеет уровень лог 0, то соответствующая кнопка считается замкнутой. Диоды VDn защищают сканирующие выходы от пробоя при нажатых нескольких кнопках, резисторы Rn подтягивают входы. Иногда, для предотвращения ложных срабатываний, имеется смысл устанавливать конденсаторы Cn. Если имеется возможность подключить ко входам портов внутренние подтягивающие резисторы, то внешние резисторы (R1, R2) можно исключить.

При использовании резиновой клавиатуры с микроконтроллером, на диодах, защищающих сканирующие выходы, падает 0,7 вольт. Нажатая клавиша тоже имеет некоторое сопротивление. В результате, иногда, на входах не хватает напряжения для распознавания лог 0. В таком случае вместо диодов можно поставить резисторы 150 - 200 Ом.

Вариант 1. Вот еще пример подключения клавиатуры с использованием меньшего числа портов микроконтроллера. Для стандартного включения матрицы 4*3 понадобится 7 портов, а в этом примере, за счет более сложной программной обработки понадобится всего 4. При опросе поочередно на одной из четырех линий устанавливают лог 0, а другие программируют как входы. При этом, они обязательно должны быть подтянуты к высокому уровню. В этом примере подтяжка осуществляется внутренними резисторами. По состоянию входов вычисляется нажатая кнопка.


В схеме используются стандартные диоды (например импортные 1N4148). Автор программы предупреждает, что возможно наличие ошибок, но при трансляции в MPLAB все проходит гладко. Код был написан для микроконтроллера PIC16F84, но при желании может быть легко перенесен на другой тип.

Загрузить код программы обработки клавиатуры под PIC16F84

Светодиоды

Очень интересна тема подключения светодиодов. При большом количестве последних всегда жалко тратить свободные порты на индикацию и весьма не хочется вводить дополнительные элементы. Тем не менее, существует много способов подключения светодиодов. Один из них - встречное включение. На таблице ниже можно увидеть сколько светодиодов можно подключить к определенному числу портов:

Портов 2 3 4 5 6 7 8
Св.диодов 2 6 12 20 30 42 56
Логика работы такова: чтобы зажечь необходимый светодиод нужно установить соответствующие порты как выходы и подать требуемые логические уровни. Не используемы выводы микроконтроллера программируются как входы, чтобы не засвечивать не нужные светодиоды. В принципе, можно засветить любую комбинацию светодиодов, используя временное мультиплексирование, но при таком способе незначительно снижается яркость свечения.


Сопротивления в цепях порядка 200-300 Ом.

Управление нагрузкой 220В

Для плавного управления нагрузкой, например, лампой освещения, можно использовать симистор. Открывается симистор током при подачи на управляющий электрод импульса. Закрывается, когда ток, проходящий через него, становится равным нулю, когда переменное напряжение меняет знак. Для управления симистором удобно использовать микроконтроллер, который, отслеживая переход напряжения через ноль, выдает управляющий импульс открывания в каждой полуволне в определенный момент времени (дважды за период). Временные диаграммы показаны на рисунке:


Пример схемной реализации представлен на рисунке ниже. На выводе ZERO микроконтроллера присутствует лог 1, когда в сети 220В положительная полуволна и лог 0, когда отрицательная. На резисторе R1 падает лишнее напряжение, а внутренние диоды микроконтроллера защищают кристалл от пробоя высоким напряжением. Для передачи в нагрузку максимальной мощности нужно выдавать импульс управления (вывод SIM) сразу после того, как на выводе ZERO изменится уровень сигнала. Для уменьшения мощности в нагрузке управляющий импульс надо задерживать на необходимое время, но не более 10 мсек (одна полуволна), иначе начнется следующая полуволна.


Длительность управляющего импульса для данной схемной реализации должна быть не менее 100 мкс.

В принципе, из схемы можно исключить транзистор. Но для обеспечения необходимого тока открывания симистора (около 100 мА для данного типа) необходимо объединить несколько портов микроконтроллера, так как один порт обеспечивает только 20 мА. Выводы микроконтроллера, в этом случае, нужно будет подключить непосредственно к положительному выводу конденсатора С1. Также, нужно изменить полярность управляющих импульсов на противоположную. Транзистор, примененный в схеме - BC817, симистор - ТС106-10.


Источник: http://disall.narod.ru

Читайте далее: Как правильно выбрать величину индуктивности дросселя?, Самодельные радиаторы для полупроводниковых приборов, Улучшение приема FM радиовещания в некоторых видеокартах, Графическая среда для разработки программного обеспечения микроконтроллеров, Реализация последовательной асинхронной передачи данных в микроконтроллерах PIC, Программное дeкодирование DTMF по принципу АОН на базе микроконтроллера PIC16F628, Декодировка сигналов тонального набора номера, Что такое GPS?, Типоразмеры компонентов для монтажа на поверхность, Сетка телевизионных каналов, используемых в России., Пайка алюминия, Расчетные формулы при работе с проволокой, CAN 2.0 А, CAN интерфейс, CTN - Многоцветные скрученные нематики, Мой первый проект на PIC микроконтроллере, Индикатор опасности (катастроф), Сильноскрученный нематик (HTN), Температурная компенсация LCD дисплеев,
Самые читаемые