Главная Гальваническое покрытие Обработка поверхности Радиотехника
Бессточные операции Гальвано- химическое производство Достижения

Самые новые
Основы организации современных гальвано-химических производств
Взаимная адаптация технологий гальванического производства и очистки сточных вод
Импульсная металлизация печатных плат
Создание высокоэффективных систем промывки деталей
Утилизация гальванических отходов как гигиеническая проблема
Получение химико-механических цинковых покрытий на высокопрочных термообработанных сталях
Переработка металлургических отходов
Последние достижения в гальванопластике
Обработка промывных вод травильных агрегатов
Экологические перспективные технологии цинкования, кадмирования и меднения
Об утилизации гальванических шламов
Технологии изготовления технологической оснастки и продуктов методом гальванопластики
Россия экспортировала продукции химической промышленности и каучука на 11,3 млн долларов
В октябре экспорт ферросплавов уменьшился на 0,03% до 108,9 тыс. тонн
Мировое производство стали за 10 месяцев 2006 года выросло на 9,2%
Производство алюминия продолжает расти
Химическое производство в России выросло на 1,2%
Китай за 10 месяцев увеличил выпуск медной продукции на 6,6% до 4,6 млн. т
"Антон" - "Северсталь"
Чистая прибыль ОАО "Ульяновский автомобильный завод"
Оценка эфф. подготовки поверхности полистирола перед химической металлизацией
"Российские металлургические компании и ЕС - особые отношения"
Аналитики расходятся во мнениях по прогнозу цен на железную руду
Evraz увеличивает выплаты
Китай вышел на ежемесячный объем экспорта стали
Чистая прибыль Borealis в III квартале выросла в 2,6 раза
"Цинк среди драгоценных металлов"
Росбанк стал держателем 29,33% "Норникеля"
"Северсталь" подорожала на 2.7 миллиарда долларов после вчерашнего IPO
Новая волна слухов на тему консолидации в мировой металлургии
Итоги деятельности химического комплекса за 9 месяцев
Стратегия развития металлургической промышленности
Инженеры в почете
Информационное обеспечение химического комплекса
Дефицит кадров
Спрос на оцинкованную сталь растет
Карта: 1 2 3 4 5 6 7 8 9
10 11 12 13 14
Главная Радиотехника


Микросхемы - усилители низкой частоты (3)


ВА511, ВА521, ВА532


Интегральные микросхемы ВА511, ВА521 и ВА532 фирмы Rohm выполнены в корпусах SIP1 с 10 выводами и представляют собой усилители мощности низкой частоты с идентичными схемами и различными параметрами. Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхем следующие:



ВА511

ВА521

ВА532

Uccmin

6 V

6 V

9 V

Uccmax

16 V

18 V

16 V

Icc0(Uвх.=0)

15 mА

18 mA

12 mA

Pвых.(13V/4Ω)

4,5 W

5,8 W

5,8 W

Ку

42 dB

42 dB

42 dB

ΔF

30Hz-18KHz

30Hz-18KHz

30Hz-18KHz

Кг(Pвых.=0,2W,f=1KHz)

0,25%

0,23%

0,2%

Rвых.nom







ВА516, ВА526, ВА527, ВА546

Интегральные микросхемы ВА516, ВА526, ВА527 и ВА546 фирмы Rohm выполнены в корпусах SIL с 9 выводами и представляют собой усилители мощности низкой частоты с идентичными схемами (цоколевками) и различными параметрами. Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса с батарейным питанием. В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности нет необходимости в теплоотводе (радиаторе). Некоторые из основных параметров микросхем следующие:



ВА516

ВА526

ВА527

ВА546

Uccmin

2 V

2 V

2,8 V

2 V

Uccmax

9 V

9 V

9 V

12 V

Icc0(Uвх.=0)

5 mA

16 mA

16 mA

4,8 mA

Pвых.max

0,35 W

0,43 W

0,8 W

0,35 W

Ку

42 dB

42 dB

42 dB

42 dB

ΔF

40Hz-17KHz

40Hz-17KHz

40Hz-17KHz

40Hz-17KHz

Кг(Pвых.=0,1W,f=1KHz)

0,5%

0,23%

0,2%

0,5%

Rвых.nom









ВА5302А, ВА5304

Интегральные микросхемы ВА5302А и ВА5304 фирмы Rohm выполнены в корпусах TABS7 с 12 выводами и представляют собой двухканальные усилители мощности низкой частоты с идентичными схемами (цоколевками) и различными параметрами Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Некоторые из основных параметров микросхем (выходные параметры для одного канала) следующие:



ВА5302А

ВА5304

Uccmin

6 V

6 V

Uccmax

14 V

16 V

Icc0(Uвх.=0)

35 mA

38 mA

Pвых.max

2,4 W

3 W

Ку

42 dB

42 dB

ΔF

30Hz-17KHz

30Hz-17KHz

Кг(Pвых.=0,2W,f=1KHz)

0,20%

0,23%

Rвых.nom





DBL1034-A, KA2206, KA22061, LA4180, LA4182, LA4183, LA4190, LA4192, LA4550, LA4555, LA4558

Интегральные микросхемы DBL1034-A (Gold Star), KA2206 и КА22061 (Samsung), LA4180, LA4182, LA4183, LA4190, LA4192, LA4550, LA4555 и LA4558 (Sanyo) с идентичными схемами и различными параметрами выполнены в корпусах TABS7 с 12 выводами. Представляют собой двухканальные усилители мощности низкой частоты и предназначены для использования в магнитофоцах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Для получения удвоенной выходной мощности на том же сопротивлении нагрузки, при том же напряжении питания, микросхемы можно подключать по мостовой схеме.Некоторые из основных параметров микросхем (выходные параметры для одного канала) следующие:



Uccmin

Uccmax

Icc0

ΔF

Rвых.

Pвых.

Кг

Ку

DBL1034-A

5 V

15 V

10 mA

30Hz-18KHz



2,3W

0,5%

62dB

КА2206

5 V

15 V

10 mA

30Hz-18KHz



2,3W

0,5%

62dB

КА22061

6 V

14 V

12 mA

30Hz-18KHz



2,3W

0,5%

62dB

LA4180

4,5 V

9 V

10 mA

30Hz-18KHz



1 W

0,3%

62dB

LA4182

4,5 V

12 V

15 mA

30Hz-18KHz



2,3 W

0,3%

62dB

LA4183

4,5 V

12 V

15 mA

30Hz-18KHz



2,3 W

0,15%

62dB

LA4190

4,5 V

9 V

10 mA

30Hz-18KHz



1 W

0,5%

62dB

LA4192

4,5 V

11 V

12 mA

30Hz-18KHz



2,3W

0,5%

62dB

LA4550

4,5 V

12 V

10 mA

30Hz-18KHz



0,8 W

0,5%

62dB

LA4555

6 V

12 V

15 mA

30Hz-18KHz



2,4 W

0,5%

62dB

LA4558

7,5 V

12 V

15 mA

30Hz-18KHz



2,1 W

0,5%

62dB

В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор).

ESM432C, ESM532C, ESM632C, ESM732C, ESM1432C, ESM1532C, ESM1632C, ESM1732C, TDA1111SP

Перечисленные ин тегральные микросхемы фирмы Thomson выполнены в корпусах SIP2c 14 выводами и представляют собой усилители мощности низкой частоты с идентичными схемами (цоколевками) и различными параметрами. Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре высокого класса с двухполярным питанием. Некоторые из основных параметров микросхем следующие:



Uccmin

Uccmax

Icc0

ΔF

Rвых.

Pвых.

Кг

Ку

ESM432C

±4,5V

±14V

25mA

20Hz-20KHz



20W

0,5%

64dB

ESM532C

±4,5V

±15V

25mA

20Hz-20KHz



10W

0,5%

62dB

ESM632C

±4,5V

±12V

25mA

20Hz-20KHz



14W

0,5%

62dB

ESM732C

±4,5V

±9V

25mA

20Hz-20KHz



8W

0,3%

62dB

ESM1432C

±4,5V

±15V

30mA

20Hz-20KHz



20W

0,5%

62dB

ESM1532C

±4,5V

±16V

30mA

20Hz-20KHz



20W

0,5%

62dB

ESM1632C

±4,5V

±13V

30mA

20Hz-20KHz



14W

0,5%

62dB

ESM1732C

±4,5V

±9V

30mA

20Hz-20KHz



8W

0,3%

62dB

TDA1111SP

±6V

±15V

25mA

20Hz-20KHz



20W

0,3%

62dB

НА1350, НА1370

Интегральные микросхемы НА1350 и НА1370 фирмы Hitachi выполнены в корпусах SIP4 с 10 выводами и представляют собой усилители мощности низкой частоты. Предназначены для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса с двухполярным (несимметричным) питанием. Некоторые из основных па раметров микросхем следующие:

Uccnom

±22 V

Ucc1nom

25 V

Icc0(Uвх.=0)

50 mA

Pвых.(±25V/8Ω)

18 W

Ку

52 dB

ΔF

20Hz-20KHz

Кг(Pвых.=0,5W,f=1KHz)

0,15%

Rвых.nom



В микросхемы встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхемы необходимо установить на теплоотвод (радиатор).

НА1371

Интегральная микросхема НА1371 фирмы Hitachi выполнена в корпусе TABS7 с 12 выводами и представляет собой усилитель мощности низкой частоты спроектированный по мостовой схеме. Предназначена для использования в автомобильных кассетных магнитофонах и электрофонах среднего класса. Некоторые из основных параметров микросхемы следующие:Uccnom

Uccnom

12 V

Icc0(Uвх.=0)

40 mA

Pвых.(9V/4Ω)

7,3 W

Ку

42 dB

ΔF

30Hz-20KHz

Кг(Pвых.=1W,f=1KHz)

0,3%

Rвых.nom



В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). НА 13001

Интегральная микросхема НА13001 фирмы Hitachi выполнена в корпусе SIP1 с 12 выводами и представляет собой двухканальный (стереофонический) усилитель мощности низкой частоты. Предназначена для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхемы (выходные параметры для одного канала) следующие:

Uccmin

8 V

Uccmax

18 V

Icc0(Uвх.=0)

80 mA

Pвых.(13V/4Ω)

5,5 W

Rвх.

120 KΩ

Ку

42 dB

ΔF

20Hz-20KHz

Кг(Pвых.=0,5W,f=1KHz)

0,25%

Rвых.nom



НА13119

Интегральная микросхема НА13119 фирмы Hitachi выполнена в корпусе SIP3 с 15 выводами и представляет собой двухканальный (стереофонический) усилитель мощности низкой частоты. Предназначена для использования в магнитофонах, электрофонах, телевизионных и радиоприемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. В микросхему встроена защита выхода от короткого замыкания в нагрузке и термозащита. Для получения максимальной выходной мощности микросхему необходимо установить на теплоотвод (радиатор). Некоторые из основных параметров микросхемы (выходные параметры для одного канала) следующие:

Uccmin

8 V

Uccmax

16 V

Icc0(Uвх.=0)

20 mA

Pвых.(13V/4Ω)

2,2 W

Rвх.

100 KΩ

Ку

48 dB

ΔF

30Hz-18KHz

Кг(Pвых.=0,5W,f=1KHz)

0,35%

Rвых.nom



KA22062, KIA6283, TA7233P, TA7283AP

Интегральные микросхемы КА22062 и KIA6283 (Samsung), ТА7233Р и ТА7283АР (Toshiba) с идентичными схемами и параметрами выполнены в корпусах SIP4 с 12 выводами и представляют собой двухканальные усилители мощности низкой частоты. Предназначены для использования в кассетных магнитофонах, электрофонах, радио и телевизионных приемниках, другой аудиоаппаратуре среднего класса. Некоторые из основных параметров микросхем (выходные параметры для одного канала) следующие:

Uccmin

6 V

Uccmax

15 V

Icc0(Uвх.=0)

19 mA

Pвых.(13V/4Ω)

4,5 W

Ку

48 dB

ΔF

30Hz-18KHz

Кг(Pвых.=0,1W,f=1KHz)

0,2%

Rвых.nom





Источник: radvs.boom.ru

Читайте далее: Подставка для инструмента, Посеребрение металлов., В Интернет по электропроводке, Простой способ изготовления спутниковых антенн, Видеомодем на микросхеме PRACT от Siemens, Микроконтроллеры PIC16F84. Подробная документация для начинающих, Согласующий экспоненциальный трансформатор для спутниковых приемников, Два слова о тиристорах, Сотовый. Не грейте уши!, А знаете ли вы, что..., Элементы хорошего питания, КР1008ВЖ18 - приемник-декодер двухтонального (DTMF) сигнала (код 2 из 8), Проектирование зарядных систем, Статья о GPS-приемниках, Что такое GPS (2) ?, Советы любителям дальнего приема телевидения, Микросхемы - усилители низкой частоты. Часть 1, Простейшие способы соединения проводов из сплавов высокого сопротивления, ATmega169V, ATmega169L,
Самые читаемые